FF6MR12KM1
1200 V, 6 mΩ半桥模块，采用CoolSiC™ MOSFET芯片，高开关频率，应用于伺服驱动，UPS，高频电源等
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• 高电流密度

• 低开关损耗

• 出色的栅极氧化物可靠性

• 强大的抗潮湿能力

• 集成一体化二极管设计，坚固耐用并具有最佳热性能

• 强大的抗宇宙辐射线能力

• 高开关速度、损耗极低

• 模块上下桥臂开关具有对称的开关特性

• 在成熟的62mm标准结构工艺大规模产线上生产，保证了CoolSiC™ MOSFET模块产品质量一致性，非常可靠。
  

• 由于开关损耗极低，可最大限度减少冷却工作量

• 高开关频率的模块，适用于较少的磁性元件系统，从而显著减小系统体积和外形尺寸

• 基于上述模块带来的诸多好处，可以降低系统成本

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