英飞凌1200V 40A S6系列采用最新一点的IGBT6芯片技术，低通态压降1.85V VCE(sat) 并且和H3系列有着相同的开关损耗，效率得到提高，内置软特性高可靠的全电流反并联二极管，旨在实现开关和传导损耗的最佳折衷。

特性

l   低饱和压降和低开关损耗

l   最高结温：T_J = 175 °C

l   正温度系数，易并联

l   超软全电流反并联二极管

l   低EMI

l   高功率密度

应用

l   工业UPS

l   焊接

l   充电器

l   储能

l   三级串式太阳能逆变器

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