英飞凌IGBT 650V H5系列采用高速TRENCHSTOP™5的芯片技术，内置RAPID 1快速超软反并联二极管，晶圆厚度减少了25%，在开关和传导损耗方面，被定义为同类最佳IGBT。
特性
· IC = 75 A 时 VCE(sat) = 1.65 V（典型值） · 最高结温：TJ = 175 °C · 高功率密度设计 | · 温和的正温度系数 · 内置RAPID 1硅二极管
|
应用
· 焊机
· 光伏太阳能
· UPS
· 变频器
产品系列
型号 | VCEO [V] | I C @ 100°C [A] | VCE(sat) [V] | 工作温度 [°C] | 封装 |
IKB40N65EH5 | 650 | 46 | 1.65 | -40-175 | TO-263-3 |
IKZ50N65EH5 | 650 | 54 | 1.65 | -40-175 | TO-247-4 |
IKZ75N65EH5 | 650 | 75 | 1.65 | -40-175 | TO-247-4 |
IKW50N65EH5 | 650 | 50 | 1.65 | -40-175 | TO-247-3 |
IKW75N65EH5 | 650 | 75 | 1.65 | -40-175 | TO-247-3 |
现货咨询，免费样品，请联系qq：775645355
更多产品信息请访问晶川电子官网：www.igbt.cn
*博客内容为网友个人发布，仅代表博主个人观点，如有侵权请联系工作人员删除。
发布文章
